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SI8805EDB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-XFBGA，CSPBGA
數(shù)量：: 6390
說(shuō)明：: MOSFET 8V P-CH Micro Foot

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SI8805EDB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：0.9 W
柵極電荷 Qg：6.7 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：8 S
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.056 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3.1 A
閘/源擊穿電壓：5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8805EDB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8805EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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