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SI8800EDB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-XFBGA,CSPBGA
數(shù)量:
 1134  
說明:
 MOSFET 20Volt N-Channel Micro Foot-4
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SI8800EDB-T2-E1-4-XFBGA,CSPBGA圖片

SI8800EDB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

功率耗散:900 mW
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:5.5 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :10 S
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 125 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.095 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.8 A
閘/源擊穿電壓:8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI8800EDB-T2-E1的詳細(xì)信息,包括SI8800EDB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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