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SI8472DB-T2-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-UFBGA
數(shù)量:
 16162  
說明:
 MOSFET 20V 4.5A 1.8W 44mOhms @ 4.5V
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SI8472DB-T2-E1-4-UFBGA圖片

SI8472DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:1.8 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.044 Ohms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流:4.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8472DB-T2-E1的詳細(xì)信息,包括SI8472DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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