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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI8469DB-T2-E1

SI8469DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-Microfoot
數(shù)量：: 4743
說明：: MOSFET 8V 4.6A 1.8W 64mOhms @ 4.5

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SI8469DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

功率耗散：1.8 W
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.064 Ohms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 4.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 8 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8469DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8469DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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