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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI8465DB-T2-E1

SI8465DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-Microfoot
數(shù)量：: 828
說明：: MOSFET 20V 3.8A 1.8W 104mohm @ 4.5V

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SI8465DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：25 ns
上升時間：20 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作溫度：- 40 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7 S
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 85 C
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.122 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 3.8 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8465DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8465DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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