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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI8447DB-T2-E1

SI8447DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-Micro Foot?（1.5x1）
數(shù)量：: 726
說明：: MOSFET 20V 11A 13W 75mohm @ 4.5V

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SI8447DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：35 ns, 30 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：25 ns, 10 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：12 ns, 15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.075 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8447DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8447DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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