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SI8445DB-T2-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-XFBGA，CSPBGA
數(shù)量：: 702
說(shuō)明：: MOSFET 20V 9.8A 11.4W

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SI8445DB-T2-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：37 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
功率耗散：11.4 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：6.5 S
包裝形式：Reel
封裝形式：Micro Foot-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.165 Ohms
漏極連續(xù)電流：- 9.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 5 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8445DB-T2-E1的詳細(xì)信息，包括SI8445DB-T2-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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