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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SI8425DB-T1-E1

SI8425DB-T1-E1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 4-WLCSP（1.6x1.6）
數(shù)量：: 2502
說明：: MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III

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SI8425DB-T1-E1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：600 ns
商標(biāo)名：MICROFOOT TrenchFET
上升時間：50 ns
功率耗散：2.7 W
柵極電荷 Qg：110 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：18 S
下降時間：200 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：MICRO FOOT 1.6 x 1.6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：23 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：- 9.3 A
閘/源擊穿電壓：- 0.9 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8425DB-T1-E1的詳細(xì)信息，包括SI8425DB-T1-E1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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