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SI7774DP-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量：
 8253  
說明：
 MOSFET 30V 60A N-CH MOSFET w/Shottky
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SI7774DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SI7774DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI7774DP-GE3
功率耗散：48 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：44 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：70 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0031 Ohms
漏極連續(xù)電流：60 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI7774DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7774DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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