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SI7190DP-T1-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 PowerPAK? SO-8
數(shù)量：
 7110  
說(shuō)明：
 MOSFET 250V 18.4A 96W 118mohm @ 10V
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SI7190DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8圖片

SI7190DP-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI7190DP-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：24 ns, 28 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：14 ns, 12 ns
功率耗散：5.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：10 ns, 9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.118 Ohms
漏極連續(xù)電流：4.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：250 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7190DP-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI7190DP-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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