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SI5975DC-T1

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 1206-8 ChipFET
數(shù)量：
 5265  
說(shuō)明：
 MOSFET 12V 4.1A 2.1W
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SI5975DC-T1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：31 ns
商標(biāo)名：TrenchFET
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：20 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：20 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：86 mOhms
漏極連續(xù)電流：3.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5975DC-T1的詳細(xì)信息，包括SI5975DC-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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