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SI5913DC-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SMD，扁平引線
數(shù)量：: 6210
說明：: MOSFET P-CH 1206-8

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SI5913DC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：二極管（隔離式）
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：84 毫歐 @ 3.7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：4A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：330pF @ 10V
功率 - 最大：3.1W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI5913DC-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI5913DC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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