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SI5858DU-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? CHIPFET? 單
數(shù)量：: 6138
說明：: MOSFET 20V 6.0A 8.3W

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SI5858DU-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5858DU-E3
典型關閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：65 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：39 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5858DU-T1-E3的詳細信息，包括SI5858DU-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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