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SI5419DU-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? CHIPFET? 單
數(shù)量：: 30786
說明：: MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V

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SI5419DU-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5419DU-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：30 ns, 40 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：33 ns, 10 ns
功率耗散：3.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：16 ns, 12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.02 Ohms
漏極連續(xù)電流：9.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5419DU-T1-GE3的詳細信息，包括SI5419DU-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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