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SI4463BDY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 2295  
說明:
 MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
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SI4463BDY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4463BDY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI4463BDY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間:115 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):11 mOhms
漏極連續(xù)電流:9.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4463BDY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4463BDY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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