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SI4196DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 5211
說明：: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

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SI4196DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫歐 @ 8A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：8A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：22nC @ 8V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：830pF @ 10V
功率 - 最大：4.6W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI4196DY-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI4196DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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