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SI4190ADY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 5823
說(shuō)明：: MOSFET 100V 8.8mOhm@10V 18.4A N-Ch MV T-FET

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SI4190ADY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4190ADY-GE3
功率耗散：6 W
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.8 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：18.4 A
閘/源擊穿電壓：2.8 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4190ADY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4190ADY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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