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SI4056DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 4725
說明：: MOSFET 100V 23mOhm@10V 11.1A N-Ch MV T-FET

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SI4056DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4056DY-GE3
功率耗散：5.7 W
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：23 mOhms at 10 V
漏極連續(xù)電流：11.1 A
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4056DY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SI4056DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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