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SI3590DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數(shù)量：: 27237
說明：: MOSFET N&P-CH 30V (D-S)

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SI3590DV-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI3590DV-E3
典型關(guān)閉延遲時間：13 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：12 ns at N Channel, 15 ns at P Channel
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns at N Channel, 15 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.077 Ohms, 0.17 Ohms
漏極連續(xù)電流：2.5 A, 1.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3590DV-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI3590DV-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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