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SI3420DV-T1

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TSOP-6
數(shù)量：: 1584
說明：: MOSFET 200V 0.5A

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SI3420DV-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：10 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：8 ns
功率耗散：1140 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3700 mOhms
漏極連續(xù)電流：0.37 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI3420DV-T1的詳細信息，包括SI3420DV-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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