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SI1403CDL-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SC-70-6
數(shù)量:
 6390  
說(shuō)明:
 MOSFET P-CH D-S 20V SC-70-6
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SI1403CDL-T1-GE3-SC-70-6圖片

SI1403CDL-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:150 毫歐 @ 1.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:1.4A
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):1.3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:4.5nC @ 4.5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) :-
功率 - 最大:568mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝

以上是SI1403CDL-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SI1403CDL-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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