日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > 兩極晶體管 - BJT > SD1275-01

SD1275-01

廠家：: Advanced Semiconductor, Inc.
封裝：: M113
數(shù)量：: 4527
說明：: 射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

一、本商品被瀏覽0次.

SD1275-01 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

晶體管極性：NPN
安裝風(fēng)格：Screw
最小工作溫度：- 65 C
最大工作溫度：+ 150 C
包裝形式：Tray
封裝形式：M113
功率耗散：70 W
集電極連續(xù)電流：8 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO：4 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：16 V
最大工作頻率：160 MHz
直流集電極/Base Gain hfe Min：20
配置：Single Dual Emitter
RoHS：是
制造商：Advanced Semiconductor, Inc.

以上是SD1275-01的詳細信息，包括SD1275-01廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管 JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

兩極晶體管 - BJT 最新產(chǎn)品：