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S1FLJ-M-08

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 DO-219AB(SMF)
數(shù)量:
 8199  
說明:
 DIODE GP 600V 700MA DO219AB
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S1FLJ-M-08-DO-219AB(SMF)圖片

S1FLJ-M-08 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝:DO-219AB(SMF)
封裝/外殼:DO-219AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:4pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:10 μA @ 600 V
反向恢復(fù)時間 (trr):1.8 μs
速度:標準恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
電流 - 平均整流 (Io):700mA
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
技術(shù):標準
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:卷帶(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是S1FLJ-M-08的詳細信息,包括S1FLJ-M-08廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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