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RP1E050RPTR

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 -
數(shù)量:
 8987  
說明:
 MOSFET Pch -30V -5A MOSFET
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RP1E050RPTR--圖片

RP1E050RPTR PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:2 W
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :4 S
包裝形式:Reel
封裝形式:MPT-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):58 mOhms
漏極連續(xù)電流:5 A
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor

以上是RP1E050RPTR的詳細(xì)信息,包括RP1E050RPTR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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