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RFD3055LE_Q

廠家：: Fairchild Semiconductor
封裝：: IPAK
數(shù)量：: 2727
說明：: MOSFET TO-251AA N-Ch Power

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RFD3055LE_Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：22 ns
上升時間：105 ns
功率耗散：38 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：39 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.107 Ohms
漏極連續(xù)電流：11 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RFD3055LE_Q的詳細信息，包括RFD3055LE_Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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