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RDD020N60TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 6507
說明：: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3

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RDD020N60TL-TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63圖片

RDD020N60TL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
漏極至源極電壓(Vdss)：600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：2A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：-
閘電荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：-
功率 - 最大：20W
安裝類型：表面貼裝

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