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RBLQ2MM10TR

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: PMDU
數(shù)量：: 2088
說明：: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A,

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RBLQ2MM10TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：PMDU
封裝/外殼：SOD-123F
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：50pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：10 μA @ 100 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：770 mV @ 2 A
電流 - 平均整流 (Io)：2A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術：肖特基
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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