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RBLQ20BGE10TL

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: TO-252GE
數(shù)量：: 2430
說明：: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,

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RBLQ20BGE10TL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結封裝：TO-252GE
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：80 μA @ 100 V
反向恢復時間 (trr)：-
速度：快速恢復 = 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：860 mV @ 20 A
電流 - 平均整流 (Io)：20A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技術：肖特基
產品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

以上是RBLQ20BGE10TL的詳細信息，包括RBLQ20BGE10TL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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