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QST8TR

廠家:
  ROHM Semiconductor
封裝:
 TSMT-6
數(shù)量:
 2286  
說明:
 兩極晶體管 - BJT BIPOLAR PNP Vce -12v -1.5A
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QST8TR PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
包裝形式:Reel
最大功率耗散:1250 mW
直流電流增益 hFE 最大值:270 at 200 mA at 2 V
集電極連續(xù)電流:- 1.5 A
封裝形式:TSMT-6
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:270 at 200 mA at 2 V
增益帶寬產(chǎn)品fT:400 MHz
最大直流電集電極電流:1.5 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:6 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:12 V
集電極—基極電壓 VCBO:- 12 V
晶體管極性:PNP
配置:Dual
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:ROHM Semiconductor

以上是QST8TR的詳細(xì)信息,包括QST8TR廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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