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PUMD2/DG/B3,115

廠家：: Nexperia USA Inc.
封裝：: 6-TSSOP
數(shù)量：: 7317
說明：: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP

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PUMD2/DG/B3,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝/外殼：表面貼裝型
功率 - 最大值：300mW
頻率 - 躍遷：230MHz，180MHz
電流 - 集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：150mV @ 500μA，10mA
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 5mA，5V
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)：22 千歐
電阻器 - 基極 (R1)：22 千歐
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Nexperia USA Inc.

以上是PUMD2/DG/B3,115的詳細信息，包括PUMD2/DG/B3,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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