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PTFA080551E V4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-36265-2
數(shù)量：: 5373
說明：: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8

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PTFA080551E V4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：FA080551EV4XP PTFA080551EV4XWSA1 SP000376058
工廠包裝數(shù)量：50
系列：PTFA080551
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.15 Ohms at 10 V (Typ)
功率耗散：219 W
安裝風格：SMD/SMT
最小工作溫度：- 40 C
包裝形式：Tray
封裝形式：H-36265-2
最大工作溫度：+ 150 C
閘/源擊穿電壓：12 V
漏極連續(xù)電流：600 mA
汲極/源極擊穿電壓：65 V
輸出功率：55 W
增益：18.5 dB
頻率：869 MHz to 960 MHz
晶體管極性：N-Channel
配置：Single
產(chǎn)品種類：射頻MOSFET電源晶體管
制造商：Infineon

以上是PTFA080551E V4的詳細信息，包括PTFA080551E V4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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