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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PTF080101S V1

PTF080101S V1

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: H-32259-2
數(shù)量：: 5157
說(shuō)明：: IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2

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PTF080101S V1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝：H-32259-2
封裝/外殼：H-32259-2
安裝類型：表面貼裝型
電壓 - 額定：65 V
功率 - 輸出：10W
電流 - 測(cè)試：150 mA
噪聲系數(shù)：-
額定電流（安培）：1μA
電壓 - 測(cè)試：28 V
增益：18.5dB
頻率：960MHz
配置：-
技術(shù)：LDMOS
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：GOLDMOS
系列：卷帶（TR）
品牌：Infineon Technologies

以上是PTF080101S V1的詳細(xì)信息，包括PTF080101S V1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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