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PSMN8R3-40YS,115

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SC-100,SOT-669
數(shù)量:
 3374  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 40V 8.6 mOhm Standard MOSFET
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PSMN8R3-40YS,115-SC-100,SOT-669圖片

PSMN8R3-40YS,115 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:21 ns
工廠包裝數(shù)量:1500
上升時(shí)間:11 ns
功率耗散:74 W
下降時(shí)間:6 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-669 (LFPAK)
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):8.3 mOhms
漏極連續(xù)電流:70 A
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:NXP

以上是PSMN8R3-40YS,115的詳細(xì)信息,包括PSMN8R3-40YS,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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