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PSMN8R0-40BS,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 711  
說明:
 MOSFET N-CH 40 V 7.6 MOHM MOSFET
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PSMN8R0-40BS,118-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

PSMN8R0-40BS,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:800
功率耗散:86 W
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導通):7.6 mOhms
漏極連續(xù)電流:77 A
閘/源擊穿電壓:4.8 V
汲極/源極擊穿電壓:36 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN8R0-40BS,118的詳細信息,包括PSMN8R0-40BS,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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