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PSMN8R0-30YL,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: LFPAK56，Power-SO8
數(shù)量：: 4554
說明：: MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET

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PSMN8R0-30YL,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：29 ns
功率耗散：56 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：9 nC
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：LFPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.3 mOhms
漏極連續(xù)電流：62 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN8R0-30YL,115的詳細(xì)信息，包括PSMN8R0-30YL,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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