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PSMN1R5-25YL,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: LFPAK56，Power-SO8
數(shù)量：: 2061
說明：: MOSFET N-CH TRENCHMOS Logic level FET

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PSMN1R5-25YL,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：72 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時(shí)間：97 ns
功率耗散：109 W
下降時(shí)間：36 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669 (LFPAK)
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PSMN1R5-25YL,115的詳細(xì)信息，包括PSMN1R5-25YL,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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