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PSMN1R1-30PL,127

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 6120  
說明:
 MOSFET N-Ch 30V 1.3 mOhms
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PSMN1R1-30PL,127-TO-220-3圖片

PSMN1R1-30PL,127 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:50
功率耗散:338 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:243 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220AB
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.3 mOhms
漏極連續(xù)電流:120 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:NXP

以上是PSMN1R1-30PL,127的詳細(xì)信息,包括PSMN1R1-30PL,127廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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