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PSMN165-200K /T3

廠(chǎng)家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 SO-8
數(shù)量:
 612  
說(shuō)明:
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PSMN165-200K /T3-SO-8圖片

PSMN165-200K /T3 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:PSMN165-200K,518
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:2500
上升時(shí)間:11 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:25 ns
包裝形式:Reel - 13 in
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.165 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:NXP

以上是PSMN165-200K /T3的詳細(xì)信息,包括PSMN165-200K /T3廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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