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PSMN165-200K,518

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 1998  
說明:
 MOSFET TAPE13 MOSFET
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PSMN165-200K,518-8-SOIC(0.154

PSMN165-200K,518 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:/T3 PSMN165-200K
典型關閉延遲時間:50 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:11 ns
功率耗散:3.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:25 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.165 Ohms
漏極連續(xù)電流:2.9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:NXP

以上是PSMN165-200K,518的詳細信息,包括PSMN165-200K,518廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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