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PSMN0R9-25YLC,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SC-100，SOT-669
數(shù)量：: 3834
說明：: MOSFET N-Ch 25V 0.99 mOhms

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PSMN0R9-25YLC,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：103.5 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：74 ns
功率耗散：272 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：110 nC
下降時間：55 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：LFPAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：750 mOhms
漏極連續(xù)電流：100 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：25 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

以上是PSMN0R9-25YLC,115的詳細信息，包括PSMN0R9-25YLC,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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