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PMGD8000LN,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: 6-TSSOP
數(shù)量：: 4005
說明：: MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

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PMGD8000LN,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：PMGD8000LN T/R
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：15 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時(shí)間：7 ns
功率耗散：200 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：7 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-363
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8000 mOhms at 4 V
漏極連續(xù)電流：0.125 A
閘/源擊穿電壓：+/- 15 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PMGD8000LN,115的詳細(xì)信息，包括PMGD8000LN,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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