點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：/T3 PHD36N03LT
典型關閉延遲時間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
功率耗散：57600 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-428
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：17 mOhms
漏極連續(xù)電流：43.4 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PHD36N03LT,118的詳細信息，包括PHD36N03LT,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2

SIR572DP-T1-RE3

NVMYS2D9N04CLTWG