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PHD22NQ20T,118

廠家:
  NXP Semiconductors
封裝:
 DPAK
數(shù)量:
 4455  
說明:
 MOSFET RAIL PWR-MOS
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PHD22NQ20T,118-DPAK圖片

PHD22NQ20T,118 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:/T3 PHD22NQ20T
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:30 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
功率耗散:150000 mW
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:SOT-428
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):120 mOhms
漏極連續(xù)電流:21.1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:200 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:NXP

以上是PHD22NQ20T,118的詳細(xì)信息,包括PHD22NQ20T,118廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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