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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > PH8230E,115

PH8230E,115

廠家：: NXP Semiconductors
封裝：: SOT-669
數(shù)量：: 4558
說明：: MOSFET N-CH TRENCH 30V

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PH8230E,115 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：PH8230E T/R
典型關(guān)閉延遲時間：33 ns
工廠包裝數(shù)量：1500
上升時間：44 ns
功率耗散：62.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：21 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-669
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.0082 Ohms
漏極連續(xù)電流：67 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：NXP

以上是PH8230E,115的詳細(xì)信息，包括PH8230E,115廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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