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P2N2907ARL1G

廠家：: ON Semiconductor
封裝：: TO-92（TO-226）
數(shù)量：: 5886
說明：: 兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP

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P2N2907ARL1G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
供應(yīng)商器件：
封裝封裝/外殼：TO-226-3，TO-92-3 長基體（成形引線）
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
頻率 - 躍遷：200MHz
功率 - 最大值：625 mW
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，10V
電流 - 集電極截止（最大值）：10nA
不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：600 mA
晶體管類型：PNP
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是P2N2907ARL1G的詳細(xì)信息，包括P2N2907ARL1G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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