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NXH75M65L4Q1SG

廠家：: onsemi
封裝：: 56-PIM（93x47）
數(shù)量：: 6651
說(shuō)明：: Q1PACK 75A 650V

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NXH75M65L4Q1SG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：模塊
安裝類型：底座安裝
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：5.665 nF @ 30 V
電流 - 集電極截止（最大值）：300 μA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：5.5μs，10μs
功率 - 最大值：86 W
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：59 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
配置：半橋
IGBT 類型：溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：托盤
品牌：onsemi

以上是NXH75M65L4Q1SG的詳細(xì)信息，包括NXH75M65L4Q1SG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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