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NXH35C120L2C2ESG

廠家：: onsemi
封裝：: 26-DIP
數(shù)量：: 6687
說(shuō)明：: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

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NXH35C120L2C2ESG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝封裝封裝/外殼：26-PowerDIP 模塊（1，199"，47，20mm）
安裝類型：通孔
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
NTC 熱敏電阻：是
輸入：三相橋式整流器
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies)：8.333 nF @ 20 V
電流 - 集電極截止（最大值）：250 μA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，35A
功率 - 最大值：20 mW
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：35 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V
配置：三相反相器，帶制動(dòng)器
IGBT 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：管件
品牌：onsemi

以上是NXH35C120L2C2ESG的詳細(xì)信息，包括NXH35C120L2C2ESG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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