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NXH100B120H3Q0STG

廠家:
  onsemi
封裝:
 22-PIM/Q0BOOST(55x32.5)
數(shù)量:
 6678  
說明:
 IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
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NXH100B120H3Q0STG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
封裝封裝封裝/外殼:模塊
安裝類型:底座安裝
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
NTC 熱敏電阻:無
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
不同?Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):9.075 nF @ 20 V
電流 - 集電極截止(最大值):200 μA
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,50A
功率 - 最大值:186 W
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):50 A
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
配置:2 個(gè)獨(dú)立式
IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:-
系列:托盤
品牌:onsemi

以上是NXH100B120H3Q0STG的詳細(xì)信息,包括NXH100B120H3Q0STG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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