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NVTP2955G

廠家:
  ON Semiconductor
封裝:
 -
數(shù)量:
 495  
說明:
 MOSFET POWER MOSFET 60V 12A 196
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NVTP2955G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:47 ns
上升時(shí)間:80 ns
功率耗散:62.5 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:14 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :6 S
下降時(shí)間:85 ns
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):156 mOhms
漏極連續(xù)電流:- 12 A
汲極/源極擊穿電壓:- 60 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:否
制造商:ON Semiconductor

以上是NVTP2955G的詳細(xì)信息,包括NVTP2955G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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