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NVMJST1D2N04CTXG

廠家：: onsemi
封裝：: 10-TCPAK
數量：: 3573
說明：: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

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NVMJST1D2N04CTXG PDF參數資料

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中文參數如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：454W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5340 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：82 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 200μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.25 毫歐 @ 50A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：451A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：onsemi

以上是NVMJST1D2N04CTXG的詳細信息，包括NVMJST1D2N04CTXG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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